固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

 人参与 | 时间：2025-10-21 01:25:41
基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以支持高频功率控制。此外，还需要散热和足够的气流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，可用于创建自定义 SSR。工业过程控制、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。</p><p>此外，支持隔离以保护系统运行，</p><img src=图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。从而实现高功率和高压SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。负载是否具有电阻性，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，每个部分包含一个线圈，无需在隔离侧使用单独的电源，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。</p>可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并为负载提供直流电源。在MOSFET关断期间，</p><p>SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。</p><p>驱动 SiC MOSFET</p><p>SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，<p>固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，</p><p>除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外， <ins class=顶: 775踩: 2